2년후 중국의 실리콘밸리로 불리는 시안(西安)시에 삼성의 반도체 전지기지가 세워진다. 삼성전자(대표 권오현)는 2014년부터 10나노미터(㎚)급 낸드플래시 메모리를 생산하는 반도체 생산공장의 기공식을 시안시에서 가졌다고 12일 밝혔다. 삼성전자는 2013년 말 완공을 목표로 중국 산시(陝西)성 시안시에 14만평 규모의 차세대 낸드 플래시 메모리 반도체 생산라인 건설한다. 삼성전자는 시안 공장에 초기 투자금액 23억달러, 총 70억달러(7조8974억원)를 투입한다. 삼성전자가 해외에 반도체 생산라인을 만드는데 투자하는 비용 중 역대 최대규모다. 삼성전자는 2013년 말까지 시안 반도체 공장을 완공하고 2014년부터 10㎚급 낸드플래시 메모리를 찍어 낸다. 매달 10만장의 300밀리미터(㎜ )를 생산할 수 있다. 반도체 업계에 따르면 삼성전자는 현재 18㎚는 낸드플래시 메모리 기술개발에 성공했다. 시안 공장에는 18㎚ 혹은 이보다 더 세밀한 공정이 적용될 것으로 업계는 전망했다. 시안은 마이크로소프트와 어플라이드머터리얼즈, 화웨이 등 100여개 IT기업들의 생산·연구거점이 모여 있는 중국의 실리콘벨리다. 특히 37개 대학교, 3000여개의 연구 기관이 위치하고 있어, 반도체 산업에서의 핵심인 우수한 기술인재를 확보하는 데도 유리한 지역이다. 글로벌 IT 기업들의 주요 거점이자 최대 시장인 미국과 중국에 생산단지를 확보하게 된 것이다. 삼성전자는 이 공장을 통해 중국에 진출한 다양한 나라의 IT 기업들과 협력을 통해 시너지를 낼 계획인 것으로 알려졌다. 삼성전자는 시안이 글로벌 IT기업의 생산 중심지 및 연구 거점으로 성장하고 있어 향후 시장 대응에 최적의 장소로 평가했다. 삼성전자 관계자는 "향후 안정적인 생산체계를 구축해 시장변화에 보다 빠르게 대응할 수 있을 것"이라고 전망했다. 이날 기공식에는 자오러지 산시성 서기와 이규형 주중대사와 윤상직 지식경제부 차관, 권오현 삼성전자 대표 등이 참석했다. 리커창 중국 국무원 부총리는 축하 서신을 통해 "시안 공장은 한국과 중국의 강점을 살려 정보산업 분야의 긴밀한 협력을 통해 이룩한 중요한 성과"라고 전했다. 권오현 대표이사는 환영사에서 "최고의 반도체 제품을 선보여 인류사회에 공헌할 것"이라고 포부를 밝혔다.