삼성전자는 30나노급 4Gb(기가비트) DDR3 D램 기반의 32GB(기가바이트) DDR3 서버용 모듈을 이번달부터 양산하기 시작했다고 31일 밝혔다. 신제품은 데이터처리 속도가 1866Mbps(Mega-bit per Second)로 기존 40나노급 32GB DDR3 모듈의 1333Mbps 대비 40% 빨라졌다는 게 삼성전자의 설명이다. 30나노급 공정을 적용해 기존 40나노급 공정 제품과 비교해 소비전력은 18% 절감됐다고 삼성전자는 덧붙였다. 삼성전자 관계자는 "30나노급 4Gb DDR3 D램은 40나노급 4Gb DDR3 D램 대비 생산성이 50% 이상 높다"며 "차세대 서버, 프리미엄 노트북 시장에서 급격하게 성장할 것으로 전망된다"고 말했다. 이에 따라 삼성전자는 30나노급 4Gb D램을 바탕으로 4Gb 이상의 대용량 제품 비중을 본격적으로 늘려, 내년에는 전체 D램의 10% 이상으로 대폭 확대할 예정이다. 홍완훈 삼성전자 반도체사업부 부사장은 "최근 급성장하는 친환경 IT 시장을 더욱 확대하기 위해 하반기에는 소비전력을 대폭 낮춘 20나노급 4Gb D램을 출시할 예정"이라며 "앞으로도 최고 성능의 `그린메모리 제품 및 솔루션`을 적기에 공급하여 메모리 시장을 지속 성장시켜 나가겠다"고 밝혔다. 한편 시장조사기관 아이서플라이에 따르면 4Gb D램은 올해부터 시장을 확대해 D램 시장에서 비중이 내년 10%까지 늘어날 전망이다. 2014년에는 57%까지 확대될 것으로 아이서플라이는 보고 있다.