삼성전자, `세계 최초` 30나노급 DDR3 개발 삼성전자가 세계 최초로 30나노급 DDR3 D램을 개발했다. 삼성전자는 지난 1월 세계 최초로 30나노급 공정을 적용한 2Gb(기가비트) DDR3(Double Data Rate 3) D램을 개발, 올해 하반기부터 본격 양산에 들어갈 예정이라고 1일 밝혔다. 지난해 1월 40나노급 D램을 개발한지 1년 만이다. 30나노급 D램은 40나노급의 그것에 비해 약 60%의 생산성을 증가시킬 수 있다. 50~60나노급 D램에 비해서는 원가 경쟁력을 2배 이상 확보할 수 있다. 또 50나노급 D램과 비교해 소비전력을 약 30% 정도 절감할 수 있으며, 40나노급 D램에 비해서는 15% 이상 소비전력을 줄일 수 있다. 예컨대 노트북에 30나노급 4GB(기가바이트) D램 모듈을 사용하면 시간당 전력 소비량은 약 3W(와트) 정도로 가정용 형광등 1개의 약 10%에 불과한데, 이는 노트북 전체 소비전력의 3% 수준에 해당한다. 삼성전자는 지난해 12월 30나노급 2Gb DDR3 D램 단품과 노트북용 2GB 모듈 제품 샘플을 고객들에게 보내 지난 1월 중순 평가 완료했던 바 있다. 삼성전자 관계자는 "30나노급 공정을 1년만에 개발한 것은 DDR3 시장 확대에 맞춰 `그린 메모리` 전략을 강화해 나가겠다는 의미"라고 강조했다. 이어 "그동안 업계에서는 D램의 셀 구조상 현재의 생산 공정에서는 40나노급 D램이 한계로 여겨져 왔다"며 "하지만 삼성전자는 1년 만에 한계를 극복하고 30나노급 공정을 개발해 냈다"고 덧붙였다. 삼성전자는 서버 솔루션으로 동작전압 1.35V에서 동작 속도가 1.6Gbps(Giga-bit Per Second; 초당 1.6기가비트)인 제품을 제공하고, PC 솔루션으로는 업계 최초로 1.866Gbps까지 공급할 예정이다. 특히, PC 솔루션에서 30나노급 D램이 구현한 DDR3 1.5V 1.866Gbps 동작 속도는 60나노급 DDR2 D램의 600Mbps(Mega-bit Per Second; 초당 600메가비트) 대비 약 3배, 40나노급 DDR3 D램의 1.333Gbps보다는 40%가량 빠르다. 조수인 삼성전자 반도체사업부 메모리담당 사장은 "이번 개발로 제조 경쟁력의 격차를 1년 이상 더 벌려 놨다"며 "이를 발판으로 세계 D램 시장점유율을 지속적으로 확대해 나갈 것"이라고 밝혔다. 삼성전자는 올해 하반기 30나노급 D램 양산을 계기로 전력소비가 큰 서버는 물론 노트북까지 적극적으로 `그린 메모리` 판매 비중을 확대해 나간다는 전략이다. (사진설명)=삼성전자가 세계 최초로 30나노급 DDR3 D램을 개발했다. 삼성전자는 지난 1월 세계 최초로 30나노급 공정을 적용한 2Gb(기가비트) DDR3(Double Data Rate 3) D램을 개발, 올해 하반기부터 본격 양산에 들어갈 예정이라고 1일 밝혔다. 지난해 1월 40나노급 D램을 개발한지 1년 만이다.